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FZT949QTA	文件：452.31 Kbytes Page：7 Pages	30V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Features • BVCEO > -30V • IC = -5.5A High Continuous Collector Current • IC = -20A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：452.31 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT949QTA	文件：606.96 Kbytes Page：7 Pages	30V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > -30V • IC = -5.5A High Continuous Collector Current • IC = -20A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：606.96 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT949QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT949TA	文件：452.31 Kbytes Page：7 Pages	30V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Features • BVCEO > -30V • IC = -5.5A High Continuous Collector Current • IC = -20A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：452.31 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT949TA	文件：606.96 Kbytes Page：7 Pages	30V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > -30V • IC = -5.5A High Continuous Collector Current • IC = -20A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：606.96 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT949TA	文件：227.28 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS Features • BVCEO > -30V • IC = -5.5A High Continuous Collector Current • IC = -20A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：227.28 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FZT949QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
440mV @ 500mA，5.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026

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