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FZT753分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FZT753
厂商型号

FZT753

参数属性

FZT753 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

114.7 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-8-11 15:07:00

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FZT753规格书详情

特性 Features

• BVCEO > -100V

• IC = -2A High Continuous Current

• ICM = -6A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -300mV @ -1A

• Complementary NPN Type: FZT653

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    FZT753QTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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