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FZT692BQTA中文资料PDF规格书

FZT692BQTA
厂商型号

FZT692BQTA

参数属性

FZT692BQTA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026

功能描述

70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

1.2563 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 22:30:00

FZT692BQTA规格书详情

Features

• BVCEO > 70V

• BVCBO > 70V

• IC = 2.0A High Continuous Current

• hFE > 400 for High Gain @ 0.5A

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• Darlington Replacement

• Relay and Solenoid Drivers

• DC-DC Converters

产品属性

  • 产品编号:

    FZT692BQTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T\u0026

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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