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FZT692中文资料NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

FZT692

参数属性

FZT692 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 70V 2A SOT223-3

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
TRANS NPN 70V 2A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FZT692规格书详情

简介

FZT692属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FZT692晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

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  • 产品编号:

    FZT692BTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 70V 2A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZETEX/DIODES
22+
SOT223
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
DIODES/美台
24+
NA/
15913
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
ZETEX/DIODES
20+
SOT223
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DiodesZetex
2018+
SOT-223
773
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
DIODES/美台
22+
CutTape
13561
现货,原厂原装假一罚十!
询价
DIODESZETEX
20+
SOT-223
6600
原装现货,特价出售。
询价
DIODES/美台
21+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ZETEX
18+
SOT-223
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
Zetex Semiconductors
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ZETEX
24+
SOT-223
1450
只做原装正品
询价