FZT653Q中文资料100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT653Q |
| 参数属性 | FZT653Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | 100V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
| 人工找货 | FZT653Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT653Q规格书详情
简介
FZT653Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT653Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT653Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：2 A
- ICM
：6 A
- PD
：2 W
- hFE
：100 Min
- hFE (@ IC)
：0.5 A
- hFE (Min 2)
：55
- hFE (@ IC2)
：2 A
- VCE (SAT) Max
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：1/100
- VCE (SAT) (Max.2)
：500 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：2/200
- fT
：140 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
12663 |
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询价 | ||
ZETEX |
24+/25+ |
1279 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
DIODES |
20+ |
SOT-223-4 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ZETEX |
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SOT-223 |
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SOT-223 |
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NA |
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ZETEX |
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