FZT591AQ中文资料PNP, 40V, 1A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT591AQ |
| 参数属性 | FZT591AQ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 1A SOT223-3 |
| 功能描述 | PNP, 40V, 1A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
| 人工找货 | FZT591AQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT591AQ规格书详情
应用 Application
• Power MOSFET & IGBT Gate Driving
• Low Loss Power Switching
Product Specifications
简介
FZT591AQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT591AQ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT591AQ
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
：Automotive
- Polarity
：PNP
- IC (A)
：1
- ICM (A)
：2
- PD (W)
：2
- hFE (Min)
：250
- hFE (@ IC) (A)
：0.5
- hFE(Min 2)
：160
- hFE (@ IC2) (A)
：1
- VCE(sat) Max (mV)
：200
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
：0.1/1
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
：500
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
：1/100
- fT (MHz)
：150
- RCE(sat) (mΩ)
：-
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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