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FZT651Q数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FZT651Q

参数属性

FZT651Q 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

transistor-bjt-master-table

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FZT651Q规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :FZT651Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :N/A A

  • ICM

    :6 A

  • PD

    :2 W

  • hFE

    :100 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.5 A

  • hFE (Min 2)

    :40

  • hFE (@ IC2)

    :2 A

  • VCE (SAT) Max

    :300 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/100

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :3/300

  • fT

    :N/A MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

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