FZT651Q中文资料transistor-bjt-master-table数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT651Q |
| 参数属性 | FZT651Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | transistor-bjt-master-table |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
| 人工找货 | FZT651Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT651Q规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
FZT651Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT651Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT651Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：N/A A
- ICM
：6 A
- PD
：2 W
- hFE
：100 Min
- hFE (@ IC)
：0.5 A
- hFE (Min 2)
：40
- hFE (@ IC2)
：2 A
- VCE (SAT) Max
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：1/100
- VCE (SAT) (Max.2)
：600 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：3/300
- fT
：N/A MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT223 |
12238 |
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DIODES |
15+ |
SOT223 |
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Diodes(美台) |
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NA |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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SOT-223 |
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DIODES/美台 |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
24+ |
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500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 |
