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FZ750R65KE3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FZ750R65KE3

参数属性

FZ750R65KE3 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 6500V 750A A-IHV190-6

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 6500V 750A A-IHV190-6

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FZ750R65KE3规格书详情

描述 Description

6500V IHV 190mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your traction and industry applications.

特性 Features

• Low V(cesat)
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
• Extended Storage Temperature down to T(stg) = -55°C
• Package with CTI > 600
• Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
• High Creepage and Clearance Distance

优势:
• High power density for compact inverter designs
• Standardized housing

简介

FZ750R65KE3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FZ750R65KE3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FZ750R65KE3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :no

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :6500 V

  • Configuration

    :Single switch

  • Technology

    :IGBT3 - E3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :750 A

  • OPN

    :FZ750R65KE3NOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :3 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :3 V

  • Qualification

    :Industrial/Traction

  • Housing

    :IHV

  • Features

    :10.2kV isolation

  • Dimensions length

    :190 mm

  • Dimensions width

    :140 mm

  • Package name

    :A-IHV190

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