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FZ750R65KE3	文件：360.72 Kbytes Page：9 Pages	high insulated module	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FZ750R65KE3T	文件：471.8 Kbytes Page：9 Pages	high insulated module	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FZ750R65KE3C1NOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FZ750R65KE3NOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 6500V 750A A-IHV190-6	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FZ750R65KE3
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 6500V 750A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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