选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPEC1200A1700V |
77 |
07+特价模块 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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INFINEONmodule |
150 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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87 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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INFINEONNULL |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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INFINEON |
3600 |
模块专业分销商!原装正品!价格绝对优势! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON |
100 |
原装现货,价格优惠 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
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INFINEON1200A,1700V |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌MODULE |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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InfineonLQFP |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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EUPECMODEL |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONIHM130mm |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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EUPEC1200A170 |
800 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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EUPEC模块 |
355 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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Eupec |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌车规-模块MODULE |
1880 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
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Infineon原厂封装 |
5000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273717邹小姐 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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94 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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FZ1200R17KF6CB资讯
FZ1200R17KF6CB中文资料Alldatasheet PDF
更多FZ1200R17KF6_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R17KF6B2功能描述:IGBT Module
FZ1200R17KF6C_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.95KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R17KF6CB2制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R17KF6C-B2功能描述:IGBT 模块 1700V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R17KF6CB2V功能描述:IGBT Module