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深圳市英博尔电子有限公司

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INFINEONN/A

1000

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英博尔原装优质现货订货渠道商

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)IGBT

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23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)IGBT

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

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英飞凌N/A

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新批次

深圳市华来深电子有限公司

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INFINEONIGBT

200

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原包装原标签特价销售

深圳市星佑电子有限公司

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EUPEC1050A1200V

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绝对全新原装强调只做全新原装现

深圳市瀚珑科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SMD

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只做原装现货13691986278微信

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FZ1000R16KF4

INFINEONMODULE

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深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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FZ1000R33HL3BPSA1

Infineon Technologies模块

30000

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晶体管-分立半导体产品-原装正品

深圳市英博尔电子有限公司

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INFINEONN/A

1000

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英博尔原装优质现货订货渠道商

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)AG-IHVB130-3

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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

深圳市金嘉锐电子有限公司

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INFINEON模块

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原装优势绝对有货

上海意淼电子科技有限公司

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eupec德国欧派克超大功率NA

6500

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全新原装假一赔十

深圳市纳艾斯科技有限公司

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INFINEONmodule

6000

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全新原装正品现货,假一赔佰

中天科工半导体(深圳)有限公司

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INFINEON/英飞凌MODULE

8513

专业模块

模块原装主营-可开原型号增税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

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INFINEON/英飞凌MODULE

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专业模块

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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FZ1000R33HE3B60BPSA1

Infineon Technologies模块

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晶体管-分立半导体产品-原装正品

中天科工半导体(深圳)有限公司

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FZ1000R33HE3BOSA1

Infineon Technologies模块

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FZ1000R33HE3BPSA1

Infineon Technologies模块

30000

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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FZ1000R33HE3C1NOSA1

Infineon Technologies模块

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FZ1000R33HE3价格:¥10418.5627品牌:INFINEON AEMC REGION ASI

生产厂家品牌为INFINEON AEMC REGION ASI的FZ1000R33HE3多少钱,想知道FZ1000R33HE3价格是多少?参考价:¥10418.5627。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FZ1000R33HE3批发价格及采购报价,FZ1000R33HE3销售排行榜及行情走势,FZ1000R33HE3报价。

FZ1000R33HE3C1NOSA1中文资料Alldatasheet PDF

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FZ1000R12KF5制造商:Infineon Technologies AG

FZ1000R16KF4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.6KV 1.6KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1000R25KF1功能描述:IGBT Module

FZ1000R33HE3功能描述:IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1000R33HE3ENG功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ1000R33HL3功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FZ100A05KN功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q

FZ100A06KL功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C)

FZ1050R12K4功能描述:IGBT Module

FZ1050R12KF4功能描述:IGBT Module