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GM649A	文件：478.81 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GM649A	文件：482.27 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
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GSB649A	文件：549.18 Kbytes Page：3 Pages	TheGSB649Aisdesignedforfrequencypoweramplifier	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
H649A	文件：32.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithHSD669A. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) •MaximumTemperatures StorageTemperature............................................................................................-55~+150°C JunctionTempera	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HI649A	文件：27.15 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHI649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HJ649A	文件：27.58 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMC649	文件：307.78 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC649	文件：221.12 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
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详细参数

型号：
FXT649STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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