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GL453	文件：133.83 Kbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALEMISSIONTYPEINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE BidirectionalEmissionTypeInfraredLightEmittingDiode Applications 1.Lightsourcefortape-enddetectorsofVHStypeVCRs	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
GL453	文件：43.7 Kbytes Page：4 Pages	BidirectionalEmissionTypeInfraredEmittingDiode BidirectionalEmissionTypeInfraredLightEmittingDiode Applications 1.Lightsourcefortape-enddetectorsofVHStypeVCRs	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
HCPL-M453	文件：89.59 Kbytes Page：8 Pages	SmallOutline,5Lead,HighSpeedOptocouplers Description ThesesmalloutlinehighCMR,highspeed,diode-transistoroptocouplersaresinglechanneldevicesinafiveleadminiaturefootprint.TheyareelectricallyequivalenttothefollowingAgilentoptocouplers: TheSO-5JEDECregistered(MO-155)packageoutlinedoesnotrequire“through	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HWS453	文件：78.12 Kbytes Page：2 Pages	GaAsDC-6GHzDPDTSwitch Description TheHWS453isaGaAsPHEMTMMICDPDTswitchoperatingatDC-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS453featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinIEEE802.11a/b/gWLANsy	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IRF453	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF453	文件：48.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP453	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP453	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP453	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFP453R	文件：170.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FXT453STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海市鑫鸿达电子	FXT-4545-000-K	PacTec	2022+		211	全新原装货期两周	询价
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