High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 18.9 mΩ • ID : –50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

文件：174.73 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

SMD

HIROSEHirose Electric Company

广濑日本广濑电机株式会社

上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司

SMD

HRS

上传：深圳市亿联芯电子科技有限公司

QFN

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传：深圳市科恒伟业电子有限公司

MAC010A

Fairchild

仙童半导体

上传：深圳市创博伟业科技有限公司