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FX50KMJ-06-A8	文件：174.73 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–60V •rDS(ON)(max):18.9mΩ •ID:–50A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):70ns •Viso:2000V Applications Motorcontrol,Lampcontrol,Solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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FX50KMJ-06-A8

文件：174.73 Kbytes

Page：7 Pages

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–60V •rDS(ON)(max):18.9mΩ •ID:–50A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):70ns •Viso:2000V Applications Motorcontrol,Lampcontrol,Solenoidcontrol,DC-DCconverters,etc.

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