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FX20ASJ-06	文件：59.06 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 97mΩ • ID –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：59.06 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX20ASJ-06	文件：64.37 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 97mΩ • ID –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：64.37 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX20ASJ-06	文件：172.77 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 60 V • rDS(ON) (max) : 97 mΩ • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：172.77 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20ASJ-06-T13	文件：172.77 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 60 V • rDS(ON) (max) : 97 mΩ • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：172.77 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20ASJ-2	文件：50.78 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –100V • rDS (ON) (MAX) 0.26Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery 文件：50.78 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX20ASJ-2	文件：172.62 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 100 V • rDS(ON) (max) : 0.26 Ω • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：172.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20ASJ-2	文件：45.48 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –100V • rDS (ON) (MAX) 0.26Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery 文件：45.48 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX20ASJ-2-T13	文件：172.62 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 100 V • rDS(ON) (max) : 0.26 Ω • ID : – 20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：172.62 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-03	文件：209.61 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 0.13 Ω • ID : – 20 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：209.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-03	文件：56.17 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –30V • rDS (ON) (MAX) 0.13Ω • ID –20A • Integrated Fast Recovery Dio 文件：56.17 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX

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