FW389中文资料Complementary Dual Power MOSFET, 100V, 2A数据手册ONSEMI规格书
FW389规格书详情
描述 Description
FW389 is a Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8 for General-Purpose Switching Device Application.
特性 Features
• ON-resistanceN-channel : RDS(on)1 = 165mΩ (typ)P-channel : RDS(on)1 = 230mΩ (typ)
• Input CapacitanceN-channel : Ciss = 490pF (typ)P-channel : Ciss = 1000pF (typ)
• 4V drive
• Halogen free compliance
• Protection diode in
应用 Application
• DC Motor Control
• DC-AC Converters
简介
FW389属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的FW389晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：FW389
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±100
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.6
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N:254.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：N: 225.0
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：490
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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