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MS5405-BM	文件：183.86 Kbytes Page：8 Pages	MINIATURESMDPRESSURESENSOR	INTERSEMA Intersema Sensoric SA	INTERSEMA
NDL5405	文件：955.3 Kbytes Page：6 Pages	PHOTODIODE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NDL5405L	文件：62.56 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5405L	文件：76.18 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5405L	文件：75.42 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS30mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE DESCRIPTION NDL5531PSeriesisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedfordetectorsoflongwavelengthtransmissionsystems.Theseriescoversthewavelengthrangebetween1000and1600nm. FEATURES •SmalldarkcurrentID=5nA •Smallterminalcapaci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5405L	文件：66.75 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5405L	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	1300nmOPTICALANALOGCATVSYSTEM80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULEWITHSMF SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NTB5405N	文件：114 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,116A,SingleN?묬hannel,D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5405N	文件：76.74 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5405N	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=116A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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