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FU3518

THINKI 30A,80V N-Channel Enchancement Mode Planar High Density MOSFETs

Features ■ RDS(on) (Max 29 m Ω ) ■ Gate Charge (Typical 37nC) ■ Improved dv/dt Capability ■ High ruggedness ■ 100 Avalanche Tested ■ Rohs Compliable ■ Halogen Free available General Description The TO-252/TO-251 pkg are well suited for power conversion such as DC to DC,inverter,amplifi

文件:3.17623 Mbytes 页数:8 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

HI3518E

Hi3518E 720p IP-Cam SOC

文件:434.42 Kbytes 页数:2 Pages

HISILICON

海思半导体

IIRFR3518

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.44 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR3518

HEXFET Power MOSFET

文件:555.25 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

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更多FU3518供应商 更新时间2026-1-24 17:55:00