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GPCE048A-NnnV-C	文件：3.16977 Mbytes Page：25 Pages	16-bitSoundControllerWith24KX16ROM	GENERALPLUSGeneralplus Technology Inc. 台湾凌通	GENERALPLUS
HMC-C048	文件：258.25 Kbytes Page：6 Pages	LOWNOISEAMPLIFIERMODULE,5-9GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
IIRFP048N	文件：334.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤16mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ILSEU-Gi048-D	文件：120.45 Kbytes Page：2 Pages	ExternalMountHydrostaticLevelTransmitter	CYNERGY3 Cynergy3 Co	CYNERGY3
IRFP048	文件：444.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：1.58435 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
IRFP048	文件：1.55765 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：174.09 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.018ohm,Id=70A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●Dynamicdv/dtRating ●IsolatedCentralMountingHole ●175°COperatingTemperature ●Ease	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
FTR-LYCA048V
功能描述：
通用继电器 POWER
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
触点电流额定值：
150 A
线圈电压：
24 VDC
线圈电阻：
144 Ohms
线圈电流：
167 mA
切换电压：
400 V
安装风格：
Chassis

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