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NDF08N50ZH	文件：123.55 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.85	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDP08N50Z	文件：372.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP08N50Z	文件：146.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.69	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SDF08N50	文件：193.79 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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