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STW8N80	文件：351.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SVF8N80F	文件：278.31 Kbytes Page：10 Pages	8A,800VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF8N80T/F/KisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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TSM8N80	文件：406.51 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM8N80N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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