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G2013	文件：98.86 Kbytes Page：1 Pages	RubberPush-InBumpers	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
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GRF2013W	文件：862.91 Kbytes Page：15 Pages	BroadbandLinearGainBlock0.05to8.0GHz Features Reference:5V/90mA/1.9GHz •Gain:18.5dB •OIP3:38.5dBm •OP1dB:22.5dBm •NF:1.3dB •TestedtoAEC-Q100Grade2 •FlexibleBiasing •InternallyMatchedto50Ω •Process:GaAspHEMT •Applications •Compensators •SmallCellsandCellularRepeaters •802.11ac	GUERRILLAGuerrilla RF, Inc. GUERRILLAGuerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRF2013-W	文件：846.13 Kbytes Page：14 Pages	BroadbandLinearGainBlock0.05to8.0GHz	GUERRILLAGuerrilla RF, Inc. GUERRILLAGuerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
HO-NP-2013	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HO-P-2013	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HT2013H	文件：69.67 Kbytes Page：4 Pages	OneLamp/LEDFlashDriver GeneralDescription TheHT201XXseriesisalowcost,lowpowerCMOSLSIchipdesignedforlampandLEDflashdrivers.Itcanbeoperatedwithoutanyexternalcomponents,thussuitableforapplicationsonflashingbadges,giftcards,flashingearrings,andotherproductsthatrequireflashing	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
HT2013L	文件：69.67 Kbytes Page：4 Pages	OneLamp/LEDFlashDriver GeneralDescription TheHT201XXseriesisalowcost,lowpowerCMOSLSIchipdesignedforlampandLEDflashdrivers.Itcanbeoperatedwithoutanyexternalcomponents,thussuitableforapplicationsonflashingbadges,giftcards,flashingearrings,andotherproductsthatrequireflashing	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
HT2013M	文件：69.67 Kbytes Page：4 Pages	OneLamp/LEDFlashDriver GeneralDescription TheHT201XXseriesisalowcost,lowpowerCMOSLSIchipdesignedforlampandLEDflashdrivers.Itcanbeoperatedwithoutanyexternalcomponents,thussuitableforapplicationsonflashingbadges,giftcards,flashingearrings,andotherproductsthatrequireflashing	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
I2013RU	文件：287.51 Kbytes Page：2 Pages	I2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
I2013RW	文件：230.48 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-Miniature20WWide2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputRange •Ultra-MiniatureCase •OptionalRemoteControl •1,600VDCIsolation •>800kHourMTBF •StandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ICW2013	文件：250.97 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTINDUCTORSICWSeries:CeramicBodyWirewound	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
IPP-2013	文件：78.9 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPPInnovative Power Products, Inc. 创新电力创新电力产品股份有限公司	IPP
IQ2013	文件：271.56 Kbytes Page：3 Pages	Inductivesensor	IFMYifumen Electronics (Shanghai) Co., Ltd. (China headquarters) 易福门电子易福门电子（上海）有限公司（中国总部）	IFM
IRMCS2013	文件：535.74 Kbytes Page：26 Pages	EncoderBasedLowVoltageServoDriveDesignPlatform	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISD2013	文件：627.51 Kbytes Page：16 Pages	SerialInputAlphanumericIndustrialDisplay	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
K2013	文件：162.2 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELMOSTYPE(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERAPPLICATION) AudioFrequencyPowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=180V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=0.7S(typ.) Complementaryto2SJ313	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
KSR2013	文件：30.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R1=2.2KΩ,R2=47KΩ) •ComplementtoKSR1013	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
KTA2013F	文件：54.71 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). •HighhFE:hFE=120~400. •ComplementarytoKTC4074F. •ThinFinePitchSmallPackage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
M2013	文件：1.43716 Mbytes Page：12 Pages	MiniatureToggles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FTD2013A供应商更新时间2024-6-18 11:09:00

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