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GBJ810	文件：859.76 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-8.0Ampere FEATURES ●Glasspassivatedchipjunction ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsur	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
GBJ810	文件：175.28 Kbytes Page：1 Pages	-8.0AMPGlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES LowForwardvoltageDrop,HighCurrentCapability LdealForPrintedCircuitBoard ReliableLowCostConstructionUtilizingMoldedPlasticTechniqueResultsInInexpensiveProduct PlasticMaterialHasUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 *Rating	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
GBJ810	文件：957.93 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V8.0AmpGlassPassivitedBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
GBJ810	文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS6.0to8.0Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
GBJ810	文件：64.34 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS •LowReverseLeakageCurrent •SurgeOverloadRatingto170APeak •IdealforPrintedCircuitBoardApplications •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661 •LeadFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GBJ810	文件：74.45 Kbytes Page：3 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GBJ810	文件：94.27 Kbytes Page：3 Pages	8AMiniatureGlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifiers	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
GBJ810	文件：366.34 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
GBJ810	文件：149.11 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
GBJ810	文件：212.54 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE8.0AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING

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更多FT810Q-X供应商更新时间2025-7-12 9:03:00

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