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FT24C512A-USG-B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP	Fremont Micro Devices Ltd Fremont Micro Devices Ltd	Fremont Micro Devices Ltd
HM24C512	文件：584.16 Kbytes Page：15 Pages	Low-voltageOperation	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
NV24C512MUW	文件：232.97 Kbytes Page：11 Pages	EEPROMSerial512-KbI2C-AutomotiveGrade1inWettableFlankUDFNPackage Description TheNV24C512MUWisaEEPROMSerial512−KbI2C,internally organizedas65,536wordsof8bitseach. Itfeaturesa128−bytepagewritebufferandsupportstheStandard (100kHz),Fast(400kHz)andFast−Plus(1MHz)I2Cprotocol. WriteoperationscanbeinhibitedbytakingtheWPp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NV24C512WF	文件：201.06 Kbytes Page：12 Pages	EEPROM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S24C512C	文件：1.88152 Mbytes Page：35 Pages	2-WIRESERIALE2PROM	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-24C512C	文件：493.39 Kbytes Page：35 Pages	2-WIRESERIALE2PROM	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
S-24C512C	文件：1.88152 Mbytes Page：35 Pages	Writeprotectfunctionduringthelowpowersupplyvoltage 2-WIRESERIALE2PROM TheS-24C512Cisa2-wire,lowcurrentconsumptionandwiderangeoperationserialE2PROM.TheS-24C512Chasthecapacityof512K-bit,andtheorganizationis65536words×8-bit.Pagewriteandsequentialreadareavailable. Features •OperatingvoltagerangeRead:1.6V	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII

产品属性

产品编号：
FT24C512A-USG-B
制造商：
Fremont Micro Devices Ltd
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EEPROM
技术：
EEPROM
存储容量：
512Kb（64K x 8）
存储器接口：
I²C
写周期时间 - 字，页：
5ms
电压 - 供电：
1.8V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP

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