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INA234AIYBJR	文件：2.29188 Mbytes Page：42 Pages	INA23428-V,12-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA234AIYBJR	文件：1.91461 Mbytes Page：45 Pages	INA23428-V,12-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features .High-sideorlow-sidecurrentsensing .Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply .Reportscurrent,voltageandpower .Programmablefullscalerange:20mV/80mV .Inputcommonmoderange:.0.3Vto28V .Currentmonitoringaccuracy: .12-bitADCresolution .0.5gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA234BIYBJR	文件：1.91461 Mbytes Page：45 Pages	INA23428-V,12-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features .High-sideorlow-sidecurrentsensing .Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply .Reportscurrent,voltageandpower .Programmablefullscalerange:20mV/80mV .Inputcommonmoderange:.0.3Vto28V .Currentmonitoringaccuracy: .12-bitADCresolution .0.5gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IRF234	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1Aand6.5A,275Vand250V,0.45and0.68Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF234	文件：48.41 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingspeeds DESCRIPTION •DrainCurrentID=8.1A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max) •NanosecondSwitchingspeeds APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver •Driversforhigh-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR234A	文件：321.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR234B	文件：640.93 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR234B	文件：321.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU234A	文件：309.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU234B	文件：640.93 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
FT234XD-R
制造商：
FTDI, Future Technology Devices International Ltd
类别：
集成电路（IC） > 控制器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
协议：
USB
功能：
桥，USB 至 UART
接口：
UART
标准：
USB 2.0
电压 - 供电：
2.97V ~ 5.5V
电流 - 供电：
8mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
12-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
12-DFN（3x3）
描述：
IC USB SERIAL BASIC UART 12DFN

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