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IQS231	文件：1.43264 Mbytes Page：37 Pages	SingleChannelCapacitiveProximity/TouchControllerforSARapplications	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IQS231A	文件：1.45369 Mbytes Page：36 Pages	IntegratedSARuserinterfaceofferingasimpleGPIOoutput	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRA-231	文件：156.63 Kbytes Page：1 Pages	AluminumRackCabinet	SOVICO SOVICO corp.	SOVICO
IRF231	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF231	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF231	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF231	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF231	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF231	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF231	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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产品属性

产品编号：
FT231XS-R
制造商：
FTDI, Future Technology Devices International Ltd
类别：
集成电路（IC） > 控制器
系列：
USBmadeEZ-UART, FT-X, X-Chip
包装：
管件
协议：
USB
功能：
桥，USB 至 UART
接口：
UART
标准：
USB 2.0
电压 - 供电：
3.3V ~ 5V
电流 - 供电：
8mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
20-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
20-SSOP
描述：
IC USB SERIAL FULL UART 20SSOP

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