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FSJ9055R1	文件：66.24 Kbytes Page：8 Pages	55A, -60V, 0.029 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofHarrisSemiconductorhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSTJ9055R1	文件：72.59 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantP-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.ImmunitytoSingleEventEffects(SEE)iscombinedwith100KRADsoftotaldosehardnesstoprovidedeviceswhichareideallysuite	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
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FSYC9055R1	文件：51.81 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantP-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofHarrisSemiconductorhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

详细参数

型号：
FSJ9055R1
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
55A, -60V, 0.029 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FSJ9055R1供应商更新时间2024-4-19 16:16:00

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