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FSB52006S	文件：424.37 Kbytes Page：10 Pages	丝印：FSB52006S；Package：SPM5D-023；Motion SPM 5 Series 文件：424.37 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FSB52006S	文件：230.5 Kbytes Page：8 Pages	Smart Power Module (SPM) 文件：230.5 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FSB52006S
功能描述：
IGBT 模块 60V 1A 15kHz
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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