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HSB276S	文件：44.06 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ●Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ●HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. ●CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HSC276	文件：24.26 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC276	文件：61.56 Kbytes Page：5 Pages	HSC276_03	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSC276	文件：31.78 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ●Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ●UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HSC276A	文件：20.86 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC276A	文件：141.93 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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