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FS215R04A1E3D数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FS215R04A1E3D规格书详情
描述 Description
HybridPACK™ 1 采用超薄晶圆 400Vces 芯片组,是专为混合动力汽车 (HEV) 应用设计的符合汽车要求的功率模块。该芯片组针对 100V 至大约 250V 的工作电压进行了优化,具有低通态和低开关损耗。与采用新型 650Vces IGBT 技术的相同芯片尺寸相比,可将芯片功率损耗降低多达 25%。
特性 Features
• 完整的三相六单元,在一个紧凑型模块中采用温度检测 NTC
• 高效的 400Vces 超薄晶圆沟槽场终止 IGBT3,采用匹配的第三代 400V 发射极控制二极管。
• 提高的二极管电流能力,针对混合动力电动汽车的发电机模式进行优化
• 与 IGBT3 650V 相比,栅极电荷减少了 25%,降低了栅极驱动器功率损耗
• 增强的引线键合
• 坚固耐用的 Al2O3陶瓷,适用于汽车应用,具有高热循环要求
• 铜基板用于优化冷却
优势:
• 高效系统方法,适用于高达 200V 的 DCL 电压
• 高可靠性
• 与采用 650V 芯片组的 HybridPACK1 模块的安装方法相同(模块化方法)
简介
FS215R04A1E3D属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FS215R04A1E3D晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
FS215R04A1E3DBOMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘托盘
- 描述:
IGBT MODULE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
35000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
16 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
询价 | ||
Infineon |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273708邹小姐 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
IGBT3 - E3 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
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