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FS215R04A1E3D数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FS215R04A1E3D

参数属性

FS215R04A1E3D 包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE

功能描述

汽车级IGBT
IGBT MODULE

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:32:00

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FS215R04A1E3D规格书详情

描述 Description

HybridPACK™ 1 采用超薄晶圆 400Vces 芯片组,是专为混合动力汽车 (HEV) 应用设计的符合汽车要求的功率模块。该芯片组针对 100V 至大约 250V 的工作电压进行了优化,具有低通态和低开关损耗。与采用新型 650Vces IGBT 技术的相同芯片尺寸相比,可将芯片功率损耗降低多达 25%。

特性 Features

• 完整的三相六单元,在一个紧凑型模块中采用温度检测 NTC
• 高效的 400Vces 超薄晶圆沟槽场终止 IGBT3,采用匹配的第三代 400V 发射极控制二极管。
• 提高的二极管电流能力,针对混合动力电动汽车的发电机模式进行优化
• 与 IGBT3 650V 相比,栅极电荷减少了 25%,降低了栅极驱动器功率损耗
• 增强的引线键合
• 坚固耐用的 Al2O3陶瓷,适用于汽车应用,具有高热循环要求
• 铜基板用于优化冷却

优势:
• 高效系统方法,适用于高达 200V 的 DCL 电压
• 高可靠性
• 与采用 650V 芯片组的 HybridPACK1 模块的安装方法相同(模块化方法)

简介

FS215R04A1E3D属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FS215R04A1E3D晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FS215R04A1E3DBOMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘托盘

  • 描述:

    IGBT MODULE

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