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FS200R12PT4P数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FS200R12PT4P

参数属性

FS200R12PT4P 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 200A 20MW

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 200A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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FS200R12PT4P规格书详情

描述 Description

EconoPACK™ 4 1200V sixpack IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC, PressFIT Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.

特性 Features

• Extended Operation Temperature T(vj op)
• Low Switching Losses
• Low V(CEsat)
• V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
• 2.5 kV AC 1min Insulation
• High Power Density
• Isolated Base Plate
• Standard Housing

优势:
• Compact Modules
• Easy and most reliable assembly
• No Plugs and Cables required
• Ideal for Low Inductive System Designs

简介

FS200R12PT4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FS200R12PT4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FS200R12PT4P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Sixpack

  • Technology

    :IGBT4 - T4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :FS200R12PT4PBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.75 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoPACK™ 4

  • Features

    :PressFIT/TIM

  • Dimensions length

    :130 mm

  • Dimensions width

    :70.6 mm

  • Package name

    :AG-ECONO4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
1950+
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