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FS200R07N3E4R数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FS200R07N3E4R

参数属性

FS200R07N3E4R 封装/外壳为模块;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 200A 600W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 650V 200A 600W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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FS200R07N3E4R规格书详情

描述 Description

EconoPACK™ 3 650 V, 200 A sixpack IGBT module with low sat and fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode and NTC. Also available as variation with PressFIT mounting technology: FS200R07N3E4R_B11.

特性 Features

• Increased blocking voltage capability to 650 V
• High short circuit capability
• Self limiting short circuit current
• Tvj op = 150°C
• Integrated NTC temperature sensor
• Solder Contact Technology
• Copper base plate
• Standard housing

优势:
• Compact module concept
• Optimized customer’s development cycle time and cost
• Configuration flexibility

简介

FS200R07N3E4R属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FS200R07N3E4R晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FS200R07N3E4R

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :650 V

  • Configuration

    :Sixpack

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :FS200R07N3E4RBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.55 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.55 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoPACK™ 3

  • Dimensions length

    :122 mm

  • Dimensions width

    :62 mm

  • Package name

    :AG-ECONO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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