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FS200R12KT4R	文件：535.64 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-modules	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS200R12KT4R_B11	文件：4.24411 Mbytes Page：34 Pages	EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact) Features •Single-channelisolatedgatedriver •Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs •Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent •45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) •35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •Highcommon-mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS200R12KT4R_B11	文件：546.59 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-modules	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS200R12KT4RB11BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 280A 1000W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS200R12KT4RBOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 280A 1000W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS200R12KT4RPB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE LOW PWR ECONO3-4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF200R12KT4	文件：473.4 Kbytes Page：8 Pages	62mmC-SerienModulmitschnellemTrench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
FS200R12KT4R
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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