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MTP1N50E	文件：78.28 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelTO??20PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=5.0OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX1N50E	文件：24.87 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionfoPHP1N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RM1N50	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V6Wfullvoltagefilamentlampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：208.82 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V50Wfullvoltagefloodlightsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：214.26 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V10Wfullvoltagebulblampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
SSI1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP1N50A	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP1N50B	文件：629.48 Kbytes Page：8 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQU1N50B
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
500V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	FQU1N50B	FAIRCHIL	12+	TO-251	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQU1N50B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	FQU1N50B	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-251	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQU1N50BTU	FAIRCHILD	24+	TO-251	9950		询价
深圳市百诺芯科技有限公司	FQU1N50BTU	FAIRCHILD/仙童	23+	I-PAKTO-251	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市百域芯科技有限公司	FQU1N50BTU	FAIRCHILD/仙童	21+	I-PAKTO-251	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	FQU1N50C	FAIRCHI	21+	TO-251	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
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