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HY1N60M	文件：162.7 Kbytes Page：4 Pages	600V/1.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFR1N60A	文件：227.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=7.0ohm,Id=1.4A) Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=7Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptablePowerSupply ●PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
FQT1N60CTF
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳立科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON-SEMI	22+	N/A	4000	原装正品香港现货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON/安森美	24+	SOT-223	2500	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	onsemi(安森美)	24+	SOT-223-4	10613	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市芯球通科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON(安森美)	23+	SOT-223	9889	公司只做原装正品,假一赔十	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	FQT1N60CTF-WS	FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR	21+	NA	28000	只做原装,假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON(安森美)	24+	SOT-223	32048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	FQT1N60CTF-WS	NK/南科功率	2025+	SOT-223-4	25000	国产南科平替供应大量	询价
深圳市力仕科电子科技有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON	25	SOT223	5900	公司现货原装正品	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	FQT1N60CTF-WS	ON	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价

更多FQT1N60CTF供应商更新时间2025-7-27 21:44:00

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