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HMS7N80F	文件：428.2 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS7N80K	文件：399.22 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HY7N80FT	文件：232.38 Kbytes Page：4 Pages	800V/7AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY7N80T	文件：232.38 Kbytes Page：4 Pages	800V/7AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
I7N80	文件：900.32 Kbytes Page：11 Pages	7A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
I7N80	文件：900.46 Kbytes Page：11 Pages	7A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
I7N80	文件：901.09 Kbytes Page：11 Pages	7A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
I7N80	文件：899.86 Kbytes Page：11 Pages	7A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
IXFA7N80P	文件：260.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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详细参数

型号：
FQPF7N80C
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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