FQPF3N80C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，3.0 A，4.8 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF3N80C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3A, 800V, RDS(on)= 4.8Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.5A栅极电荷低（典型值：13nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• LCD 电视
• LED 电视
• 照明
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FQPF3N80C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：3
- PD Max (W)
：39
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4800
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：543
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
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