FQPF3N25中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 250 V，2.3 A，2.2 Ω，TO-220F数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适用于高效开关 DC/DC 转换器和开关电源应用。

特性 Features

•2.3 A、250 V、RDS(on) = 2.2 Ω（最大值）@VGS = 10 V、ID = 1.15 A
•低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
•低 Crss（典型值 4.7 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• High Efficiency Switching DC/DC Converters
• Switched Mode Power Supplies