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KSM30N06	文件：1.7521 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM30N06L	文件：1.64399 Mbytes Page：6 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB30N06L	文件：1.40028 Mbytes Page：8 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD30N06	文件：1.57322 Mbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMI30N06L	文件：1.40028 Mbytes Page：8 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MSD30N06	文件：702.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB30N06VL	文件：264.82 Kbytes Page：10 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30N06VL	文件：262.43 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB30N06VL	文件：333 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP30N06E	文件：1.31369 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
FQPF30N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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