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FQPF10N60C规格书详情
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductorÿs proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
特性 Features
• 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 44 nC)
• Low Crss ( typical 18 pF)
• Fast switching
• 100 avalanche tested
• Improved dv/dt capability
产品属性
- 型号：
FQPF10N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FSC |
24+/25+ |
TO-220F |
1000 |
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ON |
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TO-220F |
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FSC仙童 |
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TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
08 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
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NA |
20094 |
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ON/安森美 |
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