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KSM6N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KX6N80F

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

MS6N80

800VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

NJ6N80

6.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ6N80-BL

6.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ6N80F-LI

6.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ6N80-LI

6.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

SIHA6N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •IntegratedZenerdiodeESDprotection •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHA6N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHA6N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    FQP6N80C

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FQP6N80C供应商 更新时间2025-7-21 16:35:00