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MSF6N60	文件：1.2097 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTM6N60	文件：282.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTP6N60	文件：119.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES •DrainCurrent-ID=6A@TC=25°C •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirement	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTP6N60	文件：153.57 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MTP6N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP6N60E	文件：295.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP6N60E	文件：156.71 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=1.2OHMS TMOSE-FET™ PowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstand	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP6N60E	文件：177.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MTW6N60E	文件：69.57 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTW6N60E	文件：321.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
NDT6N60	文件：1.85147 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司

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详细参数

型号：
FQP6N60C
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯祺盛科技有限公司	FQP6N60C	ON	21+	TO-220	7500		询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	FQP6N60C	ON/安森美	24+	SMD	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQP6N60C	onsemi(安森美)	23+	TO-220	7828	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市益百分电子有限公司	FQP6N60C	仙童	2010+	TO-220-220F	7000	全新原装进口自己库存优势	询价
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详细参数

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