FQP6N60中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQP6N60规格书详情
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
产品属性
- 型号：
FQP6N60
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
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询价 | ||
HJ替代 |
2011+ |
TO220 |
50000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FSC |
2015+ |
TO220 |
19898 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO220 |
2520 |
原厂原装正品 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
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