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FQP50N06中文资料思祁半导体数据手册PDF规格书

FQP50N06
厂商型号

FQP50N06

功能描述

50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件大小

1.06537 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

THINKISEMI思祁半导体

中文名称

思祁半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 15:56:00

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FQP50N06规格书详情

General Description

This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using THINKI Semiconductor advanced planar stripe, DMOS technology intended for off-line switch mode power supply. Also, especially designed to minimize rds(on) and high rugged avalanche characteristics. The TO-220M pkg is well suited for adaptor power unit and small power inverter application.

特性 Features

• 50A, 60V, RDS(on) = 0.022Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 31 nC)

• Low Crss ( typical 65 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• 175°C maximum junction temperature rating

产品属性

  • 型号:

    FQP50N06

  • 功能描述:

    MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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