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KSM13N06L	文件：1.7533 Mbytes Page：6 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD13N06	文件：1.57185 Mbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF13N06	文件：1.93088 Mbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU13N06	文件：1.57185 Mbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
RLD13N06	文件：239.92 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheRLD13N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON), lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application Brushlessmotor Loadswitch Unint	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
FQP13N06L_Q
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP13N06L_Q供应商更新时间2025-5-22 9:48:00

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