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HM1N60	文件：732.71 Kbytes Page：12 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM1N60I	文件：732.71 Kbytes Page：12 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM1N60K	文件：732.71 Kbytes Page：12 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM1N60PR	文件：1.2594 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM1N60R	文件：748.44 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HY1N60D	文件：162.7 Kbytes Page：4 Pages	600V/1.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY1N60M	文件：162.7 Kbytes Page：4 Pages	600V/1.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFR1N60A	文件：227.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=7.0ohm,Id=1.4A) Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FQN1N60C
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQN1N60C供应商更新时间2025-7-24 17:41:00

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