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FQI6N15中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FQI6N15

功能描述

150V N-Channel MOSFET

文件大小

764.65 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 17:01:00

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FQI6N15规格书详情

特性 Features

• 6.4A, 150V, RDS(on) = 0.6Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 6.5 nC)

• Low Crss ( typical 9.6 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• 175°C maximum junction temperature rating

产品属性

  • 型号:

    FQI6N15

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/150V/6.3A/0.65OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+
I2-PAKTO-262
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
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