| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-262(I2PAK) |
8866 |
24+ |
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18年
留言
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仙童TO-262 |
2500 |
05+ |
原装进口 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-262 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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6年
留言
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ON-安森美TO-262-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ON-安森美TO-262-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ON-安森美TO-262-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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15年
留言
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FAIRCHILDTO-262 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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18年
留言
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ONSEMITO-262 |
811 |
1845+ |
全新 发货1-2天 |
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1年
留言
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ONSEMI/安森美TO262 |
4000 |
25+ |
原装正品 |
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8年
留言
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FAIRCHILD/仙童I2-PAKTO-262 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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15年
留言
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FAIRCHILDTO262 |
8390 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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10年
留言
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FCSTO-2637 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)- |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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10年
留言
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FCSTO-2637 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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3年
留言
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FSC进口原TO-262 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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5年
留言
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Fairchild/ONTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO262 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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FQI4N80TU价格
FQI4N80TU价格:¥4.2065品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FQI4N80TU多少钱,想知道FQI4N80TU价格是多少?参考价:¥4.2065。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FQI4N80TU批发价格及采购报价,FQI4N80TU销售排行榜及行情走势,FQI4N80TU报价。
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FQI4N20LTU功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQI4N20TU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FQI4N25TU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FQI4N60制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI4N60TU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQI4N80制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET































