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FQI17N08LTU数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQI17N08LTU

功能描述

MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    FQI17N08LTU

  • 功能描述:

    MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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