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FQD2N80D	文件：336.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N80	文件：170.28 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N80	文件：68.07 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2.4A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N80	文件：235.68 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N80G-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N80L-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N80Z	文件：235.72 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N80Z	文件：1.29132 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FIR2N80BPG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR2N80FG	文件：2.08555 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR2N80LG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FKPF2N80	文件：136.07 Kbytes Page：7 Pages	ApplicationExplanation(Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2N80	文件：659.15 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N80	文件：639 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N80	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N80I	文件：348.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD2N80TM	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI2N80	文件：659.15 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP2N80	文件：649.95 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP2N80	文件：302.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQD2N80D供应商更新时间2024-5-10 10:50:00

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